Книжки по товарознавству

кирпич полнотелый м 150

Класифікація ІС

Оснач. Товарознавство промислове обладнання, прилади, інструменти

Залежно від технології виготовлення інтегральні схеми діляться на напівпровідникові, плівкові та гібридні.
Напівпровідниковою інтегральною схемою називається 1С, всі елементи і міжелементні з'єднання якої виконані в середині та на поверхні напівпровідника.
Плівковою інтегральною схемою називається 1С, всі елементи і міжелементні з'єднання якої виконані тільки у вигляді плівок. Варіантами технічного виконання плівкових інтегральних схем є тонко- і товстоплінкові 1С. До тонкоплінкових умовно відносять 1С із товщиною плівок до 1 мкм, а до товстоплінкових - 1С із товщиною плівок понад 1 мкм.
Гібридною інтегральною схемою називається 1С, що містить крім елементів, нерозривно зв'язаних із поверхнею підложки, прості та складні компоненти.
Таблиця 1.18. Функціональна класифікація 1С



Гібридні 1С виготовляються за тонко- або товстоплівковою технологією з використанням безкорпусних напівпровідникових приладів і керамічних конденсаторів. Для гібридних інтегральних мікросхем виготовляються спеціальні безкорпусні комплектні елементи: діоди, діодні збірки, біполярні та польові транзистори, керамічні конденсатори. Захист безкорпусних елементів від короткочасного впливу зовнішнього середовища до установки їх у 1С здійснюється за допомогою спеціального вологостійкого покриття або вологонепроникненого упакування.

Ви бачите тільки 38% питання.

Текст смс:
kkdtk2
на номер
4345

Щоб отримати доступ до матеріалів сайту надішліть смс з текстом kkdtk2 на номер 4345. Після цього введіть номер мобільного, з якого ви надіслали смс. Вартість смс — 3 грн.